115年2-1-實作學生:電機系 【史舜任】

參賽序號：2-1

海報主題

Leakage and Thermal Analysis of NSFETs with Different Substrate Isolation Strategies

系級

電機系

指導老師及參賽學生

指導老師：涂維珍
參賽學生：史舜任

構想說明

隨著半導體製程微縮，12奈米環繞閘極場效電晶體面臨嚴重的閘極誘導汲極漏電流（GIDL）與自熱效應（SHE）挑戰。本研究利用Sentaurus TCAD比較四種基板隔離架構，證實S-PTS局部隔離結構為最佳解。
S-PTS 避開汲極高濃度區，透過優化電場降低頻帶間穿隧機率，從源頭截斷漏電；同時保留基板散熱路徑，避免氧化層隔離造成的熱淤積。結果顯示，S-PTS將最高溫度控制在415.9 K，飽和電流衰減僅 16.3%，傳統結構為26.2%。S-PTS成功兼顧漏電控制與熱可靠度，為先進元件提供最佳折衷方案。

 

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