參賽序號：06
海報主題
透過選擇性蝕刻增加 MgZnO 薄膜之壓電性質
系級
材料系
指導老師及參賽學生
指導老師：劉全璞
參賽學生：馮燊靖
構想說明
我們的研究旨在提高MgZnO薄膜的壓電性質。使用Mg0.25Zn0.75O靶材在300°C的 Si基板上進行了2小時的沉積並通過在去離子水中選擇性刻蝕Mg離子在MgZnO薄膜中 創造了奈米孔洞。從SEM的 Top view影像中可以看到相對於未蝕刻樣品，蝕刻樣品 中的晶粒之間可觀察到被刻蝕的孔洞。同時結合Cross Section和EDX數據可以看到鎂 含量下降，但薄膜厚度保持恆定，這個結果證實了刻蝕只影響鎂離子的溶解，而薄膜 的其他成分基本上保持不變。 I-V曲線分析證實了MgZnO的本質N型半導體性質。在 比較有無刻蝕的壓電輸出時，在恆定的20 N壓力下，1小時和2小時蝕刻樣品分別顯著 增強了3倍和14倍。
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