參賽序號：37
海報主題
摻鋇或奈米金夾層對氧化鋅錫電阻式記憶體的電性影響
系級
材料系
指導老師及參賽學生
指導老師：陳貞夙
參賽學生：張芷芸
構想說明
因應人工智慧快速發展、巨量運算需求上升，發展高讀寫速度的次世代記憶體為當務之急，其中電阻式記憶體為最有潛力的記憶體。然而，電阻式記憶體的電阻轉換層通常以真空製程製造，生產成本高，且電阻式記憶體有電阻轉換一致性低的問題。 本研究以低成本的溶液旋塗法製造電阻轉換層，並成功藉由摻入鋇和奈米金夾層改善電阻轉換的一致性，最後以材料分析解釋，由於金粒子為奈米尺度，可適當阻礙氧空缺移動，使每次導電燈絲形成位置相似，而鋇的摻入使氧空缺增加，導電燈絲的形成與斷裂變得更容易，進而有效提升電阻式記憶體的電阻轉換一致性。
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