114年-1-3-實作學生：化學工程學系【陳佑丞】

參賽序號：1-3

海報主題

高分子能階調控與奈米碳管交互作用於場效電晶體性能之研究

系級

化學工程學系

指導老師及參賽學生

指導老師：林彥丞
參賽學生：陳佑丞

構想說明

碳奈米管（ CNT）因具備高載子遷移率與優異導電特性，被視為新世代電子元件 的重要材料。本研究以兩種高分子材料 PNDI-BTI 與 PNDI-2T 進行碳管包覆與分 選，探討不同能階的高分子設計對元件表現之影響。 於場效電晶體（ FET）量測中， 能階較低之PNDI-BTI包覆之元件的開關比(Ion/Ioff)約落在6000， 代表高分子確實能夠 有效的抑制金屬碳管造成的漏電情形， 而閾值電壓(Vth)也落在理想區間(-1.8)， 使元 件能在較低的驅動電壓下工作， 載子遷移率(mobility)也符合文獻的數據範圍，顯示 出高分子能階設計對電荷傳輸行為具有關鍵影響。綜合而言，本研究證明高分子包覆 不僅能改善CNT的分散與純度，更能夠透過能階的調控有效調整元件的各種電性，展 現應用於有機半導體電子元件之潛力。

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